GDDR6 copertina

Tramite un comunicato stampa riguardante i premi del CES 2017 da parte dell'azienda sudcoreana Samsung, sono trapelate alcune informazioni circa le prossime memorie GDDR6, eredi delle attuali GDDR5 e GDDR5X di Micron e rivali delle future HBM3.

A seguire anche altre aziende, come SK Hynix e Micron, inizieranno a produrre le nuove memorie GDDR6.

Memorie GDDR6 Samsung: fino a 16 Gbps di velocità per le future GPU

Stando ad una descrizione presente nel comunicato stampa, le nuove memorie GDDR6 di Samsung potranno raggiungere la velocità di 16 Gbps con una bandwidth di 64 GB/s di dati I/O, che equivale al trasferimento di circa 12 DVD (da 5 GB l'uno) al secondo.

GDDR6

Il tutto avverrà utilizzando un voltaggio di soli 1,35 V, inferiore rispetto agli 1,5 V delle attuali memorie con velocità di 8 Gbps, garantendo una velocità superiore anche alle attuali GDDR5X (10-14 Gbps). Si vocifera anche che le nuove memorie GDDR6 potranno essere montate sulle future GPU NVIDIA Volta, che saranno presentate nel corso del prossimo anno.